Recursos
• Fonte de alimentação: VDD = 1,2 V (1,14 V a 1,26 V).
• VDDQ = 1,2 V (1,14 V a 1,26 V).
• VPP - 2,5 V (2,375 V a 2,75 V).
• VDDSPD = 2,25 V a 3,6 V.
• Funcionalidade e operações em conformidade com a folha de dados DDR4 SDRAM.
• 16 bancos internos.
• O agrupamento de bancos é aplicado, e CAS a latência CAS (tCCD_L, tCCD_S) para os bancos no mesmo ou em diferentes acessos de grupo de bancos estão disponíveis.
• Taxas de transferência de dados: PC4-2400, PC4-2133. PC4-1866, PC4-1600.
• Estroboscópio de dados diferencial bidirecional.
• Pré-busca de 8 bits.
• Interruptor Burst Length (BL) em tempo real BL8 ou BC4 (Burst Chop).
• Suporta correção e detecção de erros ECC.
• Terminação On-Die (ODT).
• Sensor de temperatura com SPD integrado.
• Este produto está em com a diretiva RoHS.
• A endereçabilidade por DRAM é suportada.
• A geração de nível Vref DQ interno está disponível.